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K4X1G163PC-FEC60

更新时间： 2024-02-15 23:36:02

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	523K
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DDR DRAM, 64MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60

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K4X1G163PC-FEC60 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8,16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	11.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,16
最大待机电流：	0.000025 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4X1G163PC-FEC60 数据手册

K4X1G163PC - L(F)E/G

Mobile DDR SDRAM

64Mx16 Mobile DDR SDRAM

1. FEATURES

• VDD/VDDQ = 1.8V/1.8V

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 3 )

- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )

- Burst Type (Sequential & Interleave)

• EMRS cycle with address key programs

- Partial Array Self Refresh ( Full, 1/2, 1/4 Array )

- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )

• Internal Temperature Compensated Self Refresh

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).

• Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.

• Edge aligned data output, center aligned data input.

• No DLL; CK to DQS is not synchronized.

• LMD, UMD for write masking only.

• Auto refresh duty cycle

- 7.8us for -25 to 85 °C

2. Operating Frequency

DDR333

DDR266

83Mhz

Speed @CL2¹⁾

83Mhz

Speed @CL3¹⁾

166Mhz

133Mhz

NOTE:

1) CAS Latency

3. Address configuration

Organization

Bank Address

Row Address

Column Address

64Mx16

BA0,BA1

A0 - A13

A0 - A9

- DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.

4. Ordering Information

Part No.

Max Freq.

Interface

LVCMOS

Package

K4X1G163PC-L(F)E/GC6

K4X1G163PC-L(F)E/GC3

166MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

60FBGA

Pb (Pb Free)

- L(F)E : 60FBGA Pb(Pb Free), Normal Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- L(F)G : 60FBGA Pb(Pb Free), Low Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- C6/C3 : 166MHz(CL=3) / 133MHz(CL=3)

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November 2007

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