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K4X1G163PC-FGC3

更新时间： 2024-09-28 19:40:11

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	173K
描述
DDR DRAM, 1GX16, CMOS, PBGA60, 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4X1G163PC-FGC3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA,
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	内存密度：	17179869184 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	1073741824 words	字数代码：	1000000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	组织：	1GX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4X1G163PC-FGC3 数据手册

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S8 (CDRAM)

http://www.samsung.com/global/business/semic....do?fmly_id=749&partnum=K4X1G163PC&xFmly_id= (1 of 3) [07-Sep-2010 12:06:44 PM]

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