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K4X1G163PC-LGC30

更新时间： 2024-11-02 20:39:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	523K
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DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60

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K4X1G163PC-LGC30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8,16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	11.5 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8,16	最大待机电流：	0.000025 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11 mm	Base Number Matches：	1

K4X1G163PC-LGC30 数据手册

K4X1G163PC - L(F)E/G

Mobile DDR SDRAM

64Mx16 Mobile DDR SDRAM

1. FEATURES

• VDD/VDDQ = 1.8V/1.8V

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 3 )

- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )

- Burst Type (Sequential & Interleave)

• EMRS cycle with address key programs

- Partial Array Self Refresh ( Full, 1/2, 1/4 Array )

- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )

• Internal Temperature Compensated Self Refresh

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).

• Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.

• Edge aligned data output, center aligned data input.

• No DLL; CK to DQS is not synchronized.

• LMD, UMD for write masking only.

• Auto refresh duty cycle

- 7.8us for -25 to 85 °C

2. Operating Frequency

DDR333

DDR266

83Mhz

Speed @CL2¹⁾

83Mhz

Speed @CL3¹⁾

166Mhz

133Mhz

NOTE:

1) CAS Latency

3. Address configuration

Organization

Bank Address

Row Address

Column Address

64Mx16

BA0,BA1

A0 - A13

A0 - A9

- DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.

4. Ordering Information

Part No.

Max Freq.

Interface

LVCMOS

Package

K4X1G163PC-L(F)E/GC6

K4X1G163PC-L(F)E/GC3

166MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

60FBGA

Pb (Pb Free)

- L(F)E : 60FBGA Pb(Pb Free), Normal Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- L(F)G : 60FBGA Pb(Pb Free), Low Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- C6/C3 : 166MHz(CL=3) / 133MHz(CL=3)

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November 2007

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