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K4X51163PG-FGC6000

更新时间： 2024-01-15 17:17:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	593K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN AND LEAD FREE, FBGA-60

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K4X51163PG-FGC6000 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8,16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	10 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,16
最大待机电流：	0.000015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

Final

K4X51163PG - FGC6(7)(8)

Mobile DDR SDRAM

32Mx16 Mobile DDR SDRAM

(VDD/VDDQ 1.8V/1.8V)

Revision 1.0

May 2008

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