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K4X56163PE-LGC0

更新时间： 2024-02-23 00:03:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	699K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 2ns, CMOS, PBGA60,

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K4X56163PE-LGC0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FBGA, BGA60,9X10,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最长访问时间：	2 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	66 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e0	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	60	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4X56163PE-LGC0 数据手册

K4X56163PE-L(F)G

Mobile-DDR SDRAM

16M x16 Mobile DDR SDRAM

FEATURES

• 1.8V power supply, 1.8V I/O power

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 3 )

- Burst Length ( 2, 4, 8 )

- Burst Type (Sequential & Interleave)

- Partial Self Refresh Type ( Full, 1/2, 1/4 array )

- Internal Temperature Compensated Self Refresh

- Driver strength ( 1, 1/2, 1/4, 1/8 )

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).

• Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.

• Edge aligned data output, center aligned data input.

• No DLL; CK to DQS is not synchronized.

• LDM/UDM for write masking only.

• 7.8us auto refresh duty cycle.

• CSP package.

Operating Frequency

DDR200

DDR133

Speed @CL3

*CL : CAS Latency

100Mhz

66Mhz

Column address configuration

Organization

Row Address

Column Address

16Mx16

A0 ~ A12

A0-A8

DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.

March 2004

12 3 4 5 6 7...48

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