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K4X56163PG-FGCA0

更新时间： 2024-02-01 19:28:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	217K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60

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K4X56163PG-FGCA0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	111 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8,16	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	10 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,16
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

K4X56163PG-FGCA0 数据手册

K4X56163PG - L(F)E/G

Mobile-DDR SDRAM

16M x16 Mobile-DDR SDRAM

FEATURES

• 1.8V power supply, 1.8V I/O power

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 2, 3 )

- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )

- Burst Type (Sequential & Interleave)

- Partial Self Refresh Type ( Full, 1/2, 1/4 Array )

- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )

• Internal Temperature Compensated Self Refresh

• Deep Power Down Mode

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).

• Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.

• Edge aligned data output, center aligned data input.

• No DLL; CK to DQS is not synchronized.

• LDM/UDM for write masking only.

• Auto refresh duty cycle

- 7.8us for -25 to 85 °C

Operating Frequency

DDR266

DDR222

66Mhz

Speed @CL2^*1

Speed @CL3^*1

83Mhz

133Mhz

111Mhz

Note :

1. CAS Latency

Address configuration

Organization

Bank

BA0,BA1

Row

Column

16M x16

A0 - A12

A0 - A8

- DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.

Ordering Information

Part No.

Max Freq.

Interface

LVCMOS

Package

K4X56163PG-L(F)GC3

K4X56163PG-L(F)GCA

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

111MHz(CL=3),66MHz(CL=2)

60FBGA

Pb (Pb Free)

- L(F)E : 60FBGA Pb(Pb Free), Normal Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- L(F)G : 60FBGA Pb(Pb Free), Low Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- C3/CA : 133MHz(CL=3) / 111MHz(CL=3)

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January 2006

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4X56163PG-LGC30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4X56163PG-LGCA0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4X56163PI-L(F)E/GC3	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 Mobile DDR SDRAM
K4X56163PI-L(F)E/GC6	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 Mobile DDR SDRAM
K4X56163PI-LFE/GC3	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 Mobile DDR SDRAM
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K4X56163P-L	SAMSUNG	获取价格	16Mx16 Mobile DDR SDRAM
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