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K4X51163PE-L

更新时间： 2024-01-06 02:36:14

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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32Mx16 Mobile DDR SDRAM

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K4X51163PE-L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X10,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	111 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8,16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	端子数量：	60
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA60,9X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8,16
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.135 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4X51163PE-L 数据手册

K4X51163PE - L(F)E/G

Mobile DDR SDRAM

32Mx16 Mobile DDR SDRAM

1. FEATURES

• VDD/VDDQ = 1.8V/1.8V

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 3 )

- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )

- Burst Type (Sequential & Interleave)

• EMRS cycle with address key programs

- Partial Array Self Refresh ( Full, 1/2, 1/4 Array )

- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )

• Internal Temperature Compensated Self Refresh

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).

• Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.

• Edge aligned data output, center aligned data input.

• No DLL; CK to DQS is not synchronized.

• DM0 - DM3 for write masking only.

• Auto refresh duty cycle

- 7.8us for -25 to 85 °C

2. Operating Frequency

DDR333

DDR266

83Mhz

Speed @CL2¹⁾

83Mhz

Speed @CL3¹⁾

166Mhz

133Mhz

NOTE:

1) CAS Latency

3. Address configuration

Organization

Bank Address

Row Address

Column Address

32Mx16

BA0,BA1

A0 - A12

A0 - A9

- DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.

4. Ordering Information

Part No.

Max Freq.

Interface

LVCMOS

Package

K4X51163PE-L(F)E/GC6

K4X51163PE-L(F)E/GC3

166MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

60FBGA

Pb (Pb Free)

- L(F)E : 60FBGA Pb(Pb Free), Normal Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- L(F)G : 60FBGA Pb(Pb Free), Low Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- C6/C3 : 166MHz(CL=3) / 133MHz(CL=3)

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June 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4X51163PG-FGC6000	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN AND LEAD FREE, FBGA-60
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