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K4X51163PG-FGC60

更新时间： 2024-02-18 02:12:44

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	593K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN AND LEAD FREE, FBGA-60

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K4X51163PG-FGC60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8,16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	10 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8,16	最大待机电流：	0.000015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

K4X51163PG-FGC60 数据手册

Final

K4X51163PG - FGC6(7)(8)

Mobile DDR SDRAM

32Mx16 Mobile DDR SDRAM

(VDD/VDDQ 1.8V/1.8V)

Revision 1.0

May 2008

- 1 -

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与K4X51163PG-FGC60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4X51163PG-FGC6000	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN AND LEAD FREE, FBGA-60
K4X51323PC-7E	SAMSUNG	获取价格	16M x32 Mobile-DDR SDRAM
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K4X51323PC-7GC3	SAMSUNG	获取价格	16M x32 Mobile-DDR SDRAM
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