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K4X51163PC-FGC30

更新时间： 2024-11-02 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	217K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60

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K4X51163PC-FGC30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8,16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	11.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8,16	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

K4X51163PC-FGC30 数据手册

K4X51163PC - L(F)E/G

Mobile-DDR SDRAM

32M x16 Mobile-DDR SDRAM

FEATURES

• 1.8V power supply, 1.8V I/O power

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• 1 /CS

• 1 CKE

• Differential clock inputs(CK and CK)

• MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 2, 3 )

- Burst Length ( 2, 4, 8, 16 )

- Burst Type (Sequential & Interleave)

- Partial Self Refresh Type ( Full, 1/2, 1/4 Array )

- Output Driver Strength Control ( Full, 1/2, 1/4, 1/8 )

• Internal Temperature Compensated Self Refresh

• Deep Power Down Mode

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).

• Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.

• Edge aligned data output, center aligned data input.

• No DLL; CK to DQS is not synchronized.

• LDM, UDM for write masking only.

• Auto refresh duty cycle

- 7.8us for -25 to 85 °C

Operating Frequency

DDR266

DDR222

66Mhz

Speed @CL2^*1

Speed @CL3^*1

83Mhz

133Mhz

111Mhz

Note :

1. CAS Latency

Address configuration

Organization

Bank

BA0,BA1

Row

Column

32M x16

A0 - A12

A0 - A9

- DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.

Ordering Information

Part No.

Max Freq.

Interface

LVCMOS

Package

K4X51163PC-L(F)E/GC3

K4X51163PC-L(F)E/GCA

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

111MHz(CL=3),66MHz(CL=2)

60FBGA

Pb (Pb Free)

- L(F)E : 60FBGA Pb(Pb Free), Normal Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- L(F)G : 60FBGA Pb(Pb Free), Low Power, Extended Temperature(-25 °C ~ 85 °C)

- C3/CA : 133MHz(CL=3) / 111MHz(CL=3)

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February 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4X51163PC-FGCA	SAMSUNG	获取价格	32M x16 Mobile-DDR SDRAM
K4X51163PC-FGCA0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60
K4X51163PC-LEC3	SAMSUNG	获取价格	32M x16 Mobile-DDR SDRAM
K4X51163PC-LECA	SAMSUNG	获取价格	32M x16 Mobile-DDR SDRAM
K4X51163PC-LGC3	SAMSUNG	获取价格	32M x16 Mobile-DDR SDRAM
K4X51163PC-LGCA	SAMSUNG	获取价格	32M x16 Mobile-DDR SDRAM
K4X51163PE	SAMSUNG	获取价格	32Mx16 Mobile DDR SDRAM
K4X51163PE-FEC3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 6ns, CMOS, PBGA60,
K4X51163PE-FEC6T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60,
K4X51163PE-FGC60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60,

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