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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TFBGA, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B96 | 长度： | 13.3 mm |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | DDR SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 96 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4W2G1646E-BC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96 |
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| K4W2G1646E-BC150 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96 |
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| K4W2G1646E-BC1A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96 |
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| K4X1G163PC-FEC30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 |
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| K4X1G163PC-FEC3T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, |
|
| K4X1G163PC-FEC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 |
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| K4X1G163PC-FEC6T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, |
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| K4X1G163PC-FGC3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 1GX16, CMOS, PBGA60, 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4X1G163PC-FGC30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 |
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| K4X1G163PC-FGC3T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, FBGA-60 |
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