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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FBGA, BGA96,9X16,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 最长访问时间： | 0.25 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 667 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B96 |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 端子数量： | 96 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 组织： | 64MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA96,9X16,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 电源： | 1.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.24 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4W1G1646E-HC190 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
|
| K4W1G1646E-HC1AT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC08 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC11 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC12 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC1A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W2G1646B | SAMSUNG |
获取价格 |
Graphic Memory |
|
| K4W2G1646B-HC12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4W2G1646B-HC120 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, |
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