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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA96,9X16,32 | 针数： | 96 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.73 |
| 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.3 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 533 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B96 | 长度： | 13.3 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 96 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 95 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA96,9X16,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 4,8 |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.425 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4W1G1646E-HC1AT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC08 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC11 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC12 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W1G1646G-BC1A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, |
|
| K4W2G1646B | SAMSUNG |
获取价格 |
Graphic Memory |
|
| K4W2G1646B-HC12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96 |
|
| K4W2G1646B-HC120 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, |
|
| K4W2G1646B-HC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96 |
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