是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TFBGA, BGA96,9X16,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.255 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B96 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 13.3 mm | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | CACHE DRAM MODULE | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 96 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA96,9X16,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 8 | 最大待机电流: | 0.012 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.3 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4W2G1646C | SAMSUNG |
获取价格 |
Graphic Memory | |
K4W2G1646C-HC11 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96 | |
K4W2G1646C-HC110 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 | |
K4W2G1646C-HC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96 | |
K4W2G1646C-HC150 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 | |
K4W2G1646C-HC1A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96 | |
K4W2G1646C-HC1A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 | |
K4W2G1646E-BC110 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96 | |
K4W2G1646E-BC12 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96 | |
K4W2G1646E-BC120 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR SRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, FBGA-96 |