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K4W1G1646G-BC11

更新时间： 2024-11-02 20:05:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
127页	3942K
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DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96,

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K4W1G1646G-BC11 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FBGA, BGA96,9X16,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
最长访问时间：	0.195 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	933 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B96	JESD-609代码：	e3
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	96	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA96,9X16,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	8	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.195 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4W1G1646G-BC11 数据手册

Rev. 1.0, Nov. 2010

K4W1G1646G

1Gb G-die gDDR3 SDRAM

96 FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS Compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

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Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed

herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.

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K4W2G1646B	SAMSUNG	获取价格	Graphic Memory
K4W2G1646B-HC12	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96
K4W2G1646B-HC120	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
K4W2G1646B-HC15	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96
K4W2G1646B-HC15T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-9
K4W2G1646C	SAMSUNG	获取价格	Graphic Memory
K4W2G1646C-HC11	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96

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