是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TFBGA, BGA100,11X16,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | MULTI BANK PAGE BURST | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 667 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B100 |
长度: | 13.3 mm | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | CACHE DRAM MODULE | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA100,11X16,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 4,8 | 最大待机电流: | 0.01 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.35 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4W1G1646D-EJ11 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100 |
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K4W1G1646D-EJ12 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100 |
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K4W1G1646E | SAMSUNG |
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Graphic Memory |
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K4W1G1646E-HC110 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
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K4W1G1646E-HC12T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96 |
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K4W1G1646E-HC15T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.25ns, CMOS, PBGA96, |
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K4W1G1646E-HC190 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 |
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K4W1G1646E-HC1AT | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96, |
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K4W1G1646G-BC08 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, |
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K4W1G1646G-BC11 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, |
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