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K4W1G1646D-EJ11

更新时间： 2024-11-02 19:53:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
117页	3331K
描述
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100

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K4W1G1646D-EJ11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TFBGA, BGA100,11X16,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	900 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B100	长度：	13.3 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	100	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA100,11X16,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.54 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

K4W1G1646D-EJ11 数据手册

1Gb gDDR3 SDRAM

K4W1G1646D

1Gb gDDR3 SGRAM D-die

100 FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS Compliant)

CAUTION :

* This document includes some items still under discussion in JEDEC.

* Therefore, those may be changed without pre-notice based on JEDEC progress.

* And it’s highly recommended not to send the spec without Samsung’s permission.

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 December 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4W1G1646D-EJ12	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100
K4W1G1646E	SAMSUNG	获取价格	Graphic Memory
K4W1G1646E-HC110	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
K4W1G1646E-HC12T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96
K4W1G1646E-HC15T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.25ns, CMOS, PBGA96,
K4W1G1646E-HC190	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
K4W1G1646E-HC1AT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.18ns, CMOS, PBGA96,
K4W1G1646G-BC08	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96,
K4W1G1646G-BC11	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.195ns, CMOS, PBGA96,
K4W1G1646G-BC12	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96,

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