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K4T56163QN-HCF80

更新时间： 2024-11-02 20:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	763K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-84

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K4T56163QN-HCF80 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.83	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.35 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
长度：	12.5 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	84	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.205 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

K4T56163QN-HCF80 数据手册

DDR2 SDRAM

K4T56163QN

256Mb N-die DDR2 SDRAM Specification

84FBGA with Halogen-Free & Lead-Free

(RoHS compliant)

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CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

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Rev. 1.02 November 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T56163QN-HCF8T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84
K4U52324QE-BC07	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.16ns, CMOS, PBGA136
K4U52324QE-BC07T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.16ns, CMOS, PBGA136
K4U52324QE-BC08	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.19ns, CMOS, PBGA136
K4U52324QE-BC080	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.19ns, CMOS, PBGA136, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
K4U52324QE-BC08T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.19ns, CMOS, PBGA136
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K4U52324QE-BC090	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136, ROHS COMPLIANT, FBGA-136
K4U52324QE-BC09T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX32, 0.2ns, CMOS, PBGA136
K4W1G1646D-EC15	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA100, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-100

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