是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP42,.6 |
针数: | 42 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T42 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 52.42 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | MASK ROM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 42 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2MX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP42,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | MASK ROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K3N6S1000D-YC | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 | |
K3N6S1000D-YC15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 4MX8, 150ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 | |
K3N6S1000D-YE | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 | |
K3N6S1000D-YE15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 4MX8, 150ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 | |
K3N6U1000C-GC15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N6U1000C-GC150 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N6U1000C-TC15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6U1000C-TC150 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6U1000C-TE15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6U1000C-TE150 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |