Datasheet > K3N6V1000C-TC120

K3N6V1000C-TC120

更新时间： 2024-01-31 10:04:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K3N6V1000C-TC120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.41 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K3N6V1000C-TC120 数据手册

K3N6V(U)1000C-TC(E)

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

· Switchable organization

4,194,304x8(byte mode)

2,097,152x16(word mode)

· Fast access time

3.3V Operation : 120ns(Max.)

3.0V Operation : 150ns(Max.)

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

Operating : 40mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

GENERAL DESCRIPTION

The K3N6V(U)1000C-TC(E) is a fully static mask programma-

ble ROM fabricated using silicon gate CMOS process technol-

ogy, and is organized either as 4,194,304x8 bit(byte mode) or

as 2,097,152x16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it re quires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N6V(U)1000C-TC(E) is packaged in a 44-TSOP2.

· Package

-. K3N6V(U)1000C-TC(E) : 44-TSOP2-400

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PRODUCT INFORMATION

Operating

Temp Range

Vcc Range Speed

(Typical) (ns)

Product

A20

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

K3N6V(U)1000C-TC

K3N6V(U)1000C-TE

0°C~70°C

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

3.3V/3.0V 120/150

-20°C~85°C

DECODER

SENSE AMP.

BUFFERS

PIN CONFIGURATION

BUFFERS

AND

DECODER

N.C

A20

A18

A19

A-1

A17

A10

A11

A12

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

A13

A14

A15

BHE

A16

VSS

TSOP2

BHE

VSS

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Q15/A-1

Q0 - Q14

29 Q14

28 Q6

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

Q13

Q2 19

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

Q10 20

Q12

Q11

VCC

VSS

N.C

K3N6V(U)1000C-TC(E)

Ground

No Connection

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与K3N6V1000C-TC120相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K3N6V1000C-TE12	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
K3N6V1000C-TE120	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
K3N6V1000D-YC	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48	获取价格
K3N6V1000D-YC10	SAMSUNG	MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48	获取价格
K3N6V1000E-GC100	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格
K3N6V1000E-GC12	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格

与K3N6V1000C-TC120相关文章

深入解析CS8416引脚说明、参数、技术特点
2024-06-03

1
TPA3116D2功放芯片参数详解、引脚说明
2024-06-03

5
移位寄存器74HC165引脚说明、驱动程序示例解读
2024-06-03

5
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
2024-06-03

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N6V1000C-TC120

K3N6V1000C-TC120 技术参数

K3N6V1000C-TC120 数据手册

与K3N6V1000C-TC120相关器件

与K3N6V1000C-TC120相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N6V1000C-TC120

K3N6V1000C-TC120 技术参数

K3N6V1000C-TC120 数据手册

与K3N6V1000C-TC120相关器件

与K3N6V1000C-TC120相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？