是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
备用内存宽度: | 8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | MASK ROM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00003 A |
子类别: | MASK ROMs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K3N6U1000F-TC120 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6U4000E-DC12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N6V1000C-GC12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N6V1000C-GC120 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N6V1000C-TC12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6V1000C-TC120 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6V1000C-TE12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6V1000C-TE120 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N6V1000D-YC | SAMSUNG |
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MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 | |
K3N6V1000D-YC10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 |