Datasheet > K3N6U1000E-YC12

K3N6U1000E-YC12

更新时间： 2024-01-20 08:19:33

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	55K
描述
MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K3N6U1000E-YC12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.71,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	16.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.71,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K3N6U1000E-YC12 数据手册

K3N6V(U)1000E-YC

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

The K3N6V(U)1000E-YC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 4,194,304 x 8 bit(byte mode) or as

2,097,152 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

4,194,304 x 8(byte mode)

2,097,152 x 16(word mode)

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,

120ns(Max.)@CL=100pF

3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF

· Supply voltage : single +3.3V/ single +3.0V

· Current consumption

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating :40mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

Standby : 30mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N6V(U)1000E-YC is packaged in a 48-TSOP1.

· Package

K3N6V(U)1000E-YC : 48-TSOP1-1218

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

A20

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

Q0 - Q14

Data Outputs

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

DECODER

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

SENSE AMP.

Output Enable

Power

BUFFERS

AND

VCC

DATA OUT

BUFFERS

Vss

Ground

DECODER

Vss/DNU

N.C

Ground or Do not use

No Connection

A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

BHE

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与K3N6U1000E-YC12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N6U1000F-C	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM
K3N6U1000F-GC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N6U1000F-GC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N6U1000F-TC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N6U1000F-TC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N6U4000E-DC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N6V1000C-GC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N6V1000C-GC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N6V1000C-TC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N6V1000C-TC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

与K3N6U1000E-YC12相关文章

FT232RL资料解读：引脚说明、参数详情、产品特性
2024-06-25

1
RC0402FR-07100KL资料解读：电气参数、产品特性
2024-06-25

1
RC0603FR-070R数据手册解读：特性、应用与替换型号推荐
2024-06-25

1
ULC1001数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
2024-06-24

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N6U1000E-YC12

K3N6U1000E-YC12 技术参数

K3N6U1000E-YC12 数据手册

与K3N6U1000E-YC12相关器件

与K3N6U1000E-YC12相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N6U1000E-YC12

K3N6U1000E-YC12 技术参数

K3N6U1000E-YC12 数据手册

与K3N6U1000E-YC12相关器件

与K3N6U1000E-YC12相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？