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K3N6V1000F-TC100

更新时间： 2024-02-13 01:31:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3N6V1000F-TC100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.41 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K3N6V1000F-TC100 数据手册

K3N6V(U)1000F-TC

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

· Switchable organization

4,194,304x8(byte mode)

2,097,152x16(word mode)

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,

120ns(Max.)@CL=100pF

3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

GENERAL DESCRIPTION

The K3N6V(U)1000F-TC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 4,194,304x8 bit(byte mode) or as

2,097,152x16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it re quires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating : 40mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

Standby : 30mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N6V(U)1000F-TC is packaged in a 44-TSOP2.

· Package

-. K3N6V(U)1000F-TC : 44-TSOP2-400

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A20

MEMORY CELL

MATRIX

N.C

A18

A20

BUFFERS

AND

A19

A17

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

DECODER

A10

A11

A12

37 A13

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

A14

A15

A16

DECODER

TSOP2

BHE

VSS

A-1

VSS

Q15/A-1

29 Q14

28 Q6

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

Q13

Q2 19

BHE

Q10 20

25 Q12

Q11

VCC

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

K3N6V(U)1000F-TC

Q0 - Q14

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

VCC

VSS

N.C

Ground

No Connection

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K3N6V1000F-TC120	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
K3N6V4000E-DC10	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42	获取价格
K3N6V4000E-DC12	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42	获取价格
K3N7C1000B-GC10	SAMSUNG	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格
K3N7C1000B-GC100	SAMSUNG	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格
K3N7C1000B-GC12	SAMSUNG	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格

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