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Datasheet > K3N6V1000E-TC10
K3N6V1000E-TC10 PDF预览

K3N6V1000E-TC10

更新时间： 2024-11-21 20:09:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3N6V1000E-TC10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00003 A
子类别：MASK ROMs最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K3N6V1000E-TC10 数据手册

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K3N6V(U)1000E-TC  
CMOS MASK ROM  
32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
· Switchable organization  
4,194,304x8(byte mode)  
2,097,152x16(word mode)  
· Fast access time  
3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,  
120ns(Max.)@CL=100pF  
3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
GENERAL DESCRIPTION  
The K3N6V(U)1000E-TC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 4,194,304x8 bit(byte mode) or as  
2,097,152x16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it re quires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 40mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
The K3N6V(U)1000E-TC is packaged in a 44-TSOP2.  
· Package  
-. K3N6V(U)1000E-TC : 44-TSOP2-400  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A20  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
N.C  
A18  
A20  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
1
2
BUFFERS  
AND  
A19  
A8  
.
.
.
.
.
.
.
.
A17  
A7  
3
(2,097,152x16/  
4,194,304x8)  
4
A9  
DECODER  
A6  
A5  
A10  
A11  
A12  
5
6
A4  
7
Y
A3  
8
37 A13  
SENSE AMP.  
BUFFERS  
BUFFERS  
AND  
A14  
36  
A2  
9
A1  
A15  
35  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
A16  
34  
A0  
DECODER  
A0  
TSOP2  
BHE  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
Q8  
Q1  
Q9  
33  
32  
31  
30  
A-1  
VSS  
Q15/A-1  
Q7  
.
.
.
29 Q14  
28 Q6  
CE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q13  
Q5  
27  
26  
OE  
Q2 19  
BHE  
Q10 20  
25 Q12  
Q4  
24  
Q3  
21  
Q11  
22  
VCC  
23  
Pin Name  
A0 - A20  
Pin Function  
Address Inputs  
Data Outputs  
K3N6V(U)1000E-TC  
Q0 - Q14  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
Ground  
No Connection  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N6V1000E-TC100 SAMSUNG

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