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K3N7C1000B-YC150

更新时间： 2024-09-25 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	55K
描述
MASK ROM, 4MX16, 150ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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K3N7C1000B-YC150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	150 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	16.4 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K3N7C1000B-YC150 数据手册

K3N7C1000B-YC

CMOS MASK ROM

64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

8,388,608 x 8(byte mode)

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time :

100ns(Max.) : CL=50pF

120ns(Max.) : CL=100pF

· Supply voltage : single +5.0V

· Current consumption

Operating : 70mA(Max.)

Standby : 100mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N7C1000B-YC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as

4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with 5.0V power supply, and all inputs and

outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The K3N7C1000B-YC is packaged in a 48-TSOP1.

· Package

K3N7C1000B-YC : 48-TSOP1-1218

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Pin Name

A0 - A21

Pin Function

Address Inputs

A21

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

Q0 - Q14

Data Outputs

(4,194,304x16/

8,388,608x8)

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

DECODER

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

SENSE AMP.

Output Enable

Power (+5V)

Ground

BUFFERS

AND

VCC

Vss

N.C

DATA OUT

BUFFERS

DECODER

No Connection

A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

BHE

12 3 4

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