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K3N7C1000M-GC120

更新时间： 2024-02-17 19:05:43

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

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K3N7C1000M-GC120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	28.5 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	12.6 mm
Base Number Matches：	1

K3N7C1000M-GC120 数据手册

K3N7C1000M-GC

CMOS MASK ROM

64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

8,388,608 x 8(byte mode)

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time : 120ns(Max.)

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 70mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

The K3N7C1000M-GC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as

4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

· Package

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

-. K3N7C1000M-GC : 44-SOP-600

The K3N7C1000M-GC is packaged in a 44-SOP.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A21

MEMORY CELL

MATRIX

(4,194,304x16/

8,388,608x8)

BUFFERS

AND

DECODER

A21

A18

A20

A19

A17

40 A10

A11

A12

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

37 A13

A14

SOP

A15

A16

A-1

CE 12

BHE

VSS

32 VSS

Q15/A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

Q14

BHE

Q13

Q10 20

Q12

Pin Name

A0 - A21

Pin Function

Address Inputs

Q11

VCC

Q0 - Q14

Data Outputs

K3N7C1000M-GC

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power (+5V)

Ground

VCC

VSS

12 3 4

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