Datasheet > K3N7U1000B-YC120

K3N7U1000B-YC120

更新时间： 2024-11-21 19:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	55K
描述
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K3N7U1000B-YC120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	16.4 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K3N7U1000B-YC120 数据手册

K3N7V(U)1000B-YC

CMOS MASK ROM

64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

8,388,608 x 8(byte mode)

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,

120ns(Max.)@CL=100pF

3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

The K3N7V(U)1000B-YC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as

4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating : 40mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N7V(U)1000B-YC is packaged in a 48-TSOP1.

· Package

K3N7V(U)1000B-YC : 48-TSOP1-1218

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Pin Name

A0 - A21

Pin Function

Address Inputs

A21

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

Q0 - Q14

Data Outputs

(4,194,304x16/

8,388,608x8)

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

DECODER

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

VCC

Vss

N.C

DATA OUT

BUFFERS

Ground

DECODER

No Connection

A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

BHE

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与K3N7U1000B-YC120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N7U1000C-GC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7U1000C-GC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7U1000C-YC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7U1000C-YC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7U4000B-DC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N7V1000A-GC	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7V1000A-GC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7V1000B-GC	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM
K3N7V1000B-GC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7V1000B-GC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

与K3N7U1000B-YC120相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

31
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N7U1000B-YC120

K3N7U1000B-YC120 技术参数

K3N7U1000B-YC120 数据手册

与K3N7U1000B-YC120相关器件

与K3N7U1000B-YC120相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N7U1000B-YC120

K3N7U1000B-YC120 技术参数

K3N7U1000B-YC120 数据手册

与K3N7U1000B-YC120相关器件

与K3N7U1000B-YC120相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？