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K3N7V4000C-DC10

更新时间： 2024-09-25 21:11:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	44K
描述
MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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K3N7V4000C-DC10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP42,.6
针数：	42	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
JESD-30 代码：	R-PDIP-T42	JESD-609代码：	e0
长度：	52.42 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	42
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP42,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.04 A	子类别：	MASK ROMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

K3N7V4000C-DC10 数据手册

K3N7V(U)4000C-DC

CMOS MASK ROM

64M-Bit (4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time

The K3N7V(U)4000C-DC is a fully static mask programmable

ROM organized 4,194,304x16 bit. It is fabricated using silicon-

gate CMOS process technology.

3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,

120ns(Max.)@CL=100pF

3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF

· Supply voltage : single +3.3V/ single +3.0V

· Current consumption

This device operates with a low power supply, and all inputs

and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

Operating : 40mA(Max.)

· Fully static operation

The K3N7V(U)4000C-DC is packaged in a 42-DIP.

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

· Package

-. K3N7V(U)4000C-DC: 42-DIP-600

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A21

MEMORY CELL

MATRIX

(4,194,304x16)

BUFFERS

AND

DECODER

A18

A19

A17

40 A9

A10

A11

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

37 A12

A13

A14

A15

. .

A16

DIP

A21

VSS

32 A20

31 VSS

Q15

CONTROL

LOGIC

Q15

Q14

Pin Name

A0 - A21

Q0 - Q15

Pin Function

Address Inputs

Q13

Q10

24 Q12

Data Outputs

Output Enable

Power

22 VCC

Q11

VCC

VSS

Ground

K3N7V(U)4000C-DC

12 3

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