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K3N9V1000M-YC10 PDF预览

K3N9V1000M-YC10

更新时间： 2024-11-25 20:08:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
MASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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K3N9V1000M-YC10 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.71,20
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.27Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：16.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.71,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00003 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：12 mmBase Number Matches：1

K3N9V1000M-YC10 数据手册

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K3N9V(U)1000M-YC  
CMOS MASK ROM  
128M-Bit (16Mx8 /8Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
16,777,216 x 8(byte mode)  
8,388,608 x 16(word mode)  
· Fast access time  
3.3V Operation : 100ns(Max.)  
3.0V Operation : 120ns(Max.)  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
The K3N9V(U)1000M-YC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 16,777,216 x 8 bit(byte mode) or as  
8,388,608 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 40/35mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
The K3N9V(U)1000M-YC is packaged in a 48-TSOP1.  
· Package  
K3N9V(U)1000M-YC : 48-TSOP1-1218  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Pin Name  
A0 - A22  
Pin Function  
Address Inputs  
A22  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
Q0 - Q14  
Data Outputs  
.
.
.
.
.
.
.
.
(8,388,608x16/  
16,777,216x8)  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
DECODER  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
Y
SENSE AMP.  
OE  
BUFFERS  
AND  
VCC  
Vss  
DATA OUT  
BUFFERS  
Ground  
DECODER  
A0  
A-1  
.
.
.
CE  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
OE  
BHE  
12345

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与K3N9V1000M-YC10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N9V4000A-GC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 8MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N9V4000A-GC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 8MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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