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K3N7V1000C-GC100 PDF预览

K3N7V1000C-GC100

更新时间： 2024-01-21 21:02:49
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

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K3N7V1000C-GC100 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP,
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.37Is Samacsys：N
最长访问时间：100 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：28.5 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：12.6 mm
Base Number Matches：1

K3N7V1000C-GC100 数据手册

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K3N7V(U)1000C-GC  
CMOS MASK ROM  
64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
The K3N7V(U)1000C-GC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as  
4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
8,388,608 x 8(byte mode)  
4,194,304 x 16(word mode)  
· Fast access time  
3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,  
120ns(Max.)@CL=100pF  
3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF  
· Supply voltage : single +3.3V/ single +3.0V  
· Current consumption  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 40mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
The K3N7V(U)1000C-GC is packaged in a 44-SOP.  
· Package  
-. K3N7V(U)1000C-GC : 44-SOP-600  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A21  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(4,194,304x16/  
8,388,608x8)  
A21  
A18  
A20  
A19  
A8  
1
2
44  
43  
42  
41  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
.
.
.
.
.
.
.
.
A17  
A7  
3
4
A9  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
5
40 A10  
6
A11  
A12  
39  
38  
Y
7
SENSE AMP.  
BUFFERS  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
8
37 A13  
A14  
36  
9
A0  
A15  
35  
10  
11  
SOP  
A16  
34  
33  
A-1  
CE 12  
BHE  
.
.
.
VSS  
13  
32 VSS  
OE  
Q0  
Q8  
Q1  
Q9  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
Q15/A-1  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
CE  
Q7  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q14  
Q6  
OE  
BHE  
Q13  
Q5  
Q2  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Q3  
21  
22  
Pin Name  
A0 - A21  
Pin Function  
Address Inputs  
Data Outputs  
Q11  
VCC  
Q0 - Q14  
K3N7V(U)1000C-GC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
Ground  
123

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与K3N7V1000C-GC100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N7V1000C-GC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7V1000C-YC100 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7V1000C-YC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7V1000C-YC120 SAMSUNG

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 		暂无描述
K3N7V4000B-DC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
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