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K3N7V1000B-YC12

更新时间： 2024-11-21 20:01:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	55K
描述
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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K3N7V1000B-YC12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.71,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	16.4 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP48,.71,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K3N7V1000B-YC12 数据手册

K3N7V(U)1000B-YC

CMOS MASK ROM

64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

8,388,608 x 8(byte mode)

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,

120ns(Max.)@CL=100pF

3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

The K3N7V(U)1000B-YC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as

4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating : 40mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N7V(U)1000B-YC is packaged in a 48-TSOP1.

· Package

K3N7V(U)1000B-YC : 48-TSOP1-1218

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Pin Name

A0 - A21

Pin Function

Address Inputs

A21

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

Q0 - Q14

Data Outputs

(4,194,304x16/

8,388,608x8)

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

DECODER

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

VCC

Vss

N.C

DATA OUT

BUFFERS

Ground

DECODER

No Connection

A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

BHE

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N7V1000B-YC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7V1000C-GC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7V1000C-GC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7V1000C-GC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
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K3N7V1000C-YC120	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K3N7V4000B-DC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N7V4000B-DC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N7V4000C-DC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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