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K3N7U1000B-TC PDF预览

K3N7U1000B-TC

更新时间： 2024-11-26 10:32:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
MASK ROM

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K3N7U1000B-TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Base Number Matches：1

K3N7U1000B-TC 数据手册

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Preliminary Information  
K3N7V(U)1000B-TC  
CMOS MASK ROM  
64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
8,388,608 x 8(byte mode)  
The K3N7V(U)1000B-TC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as  
4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
4,194,304 x 16(word mode)  
· Fast access time  
3.3V Operation : 100ns(Max.)  
3.0V Operation : 120ns(Max.)  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 40mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
The K3N7V(U)1000B-TC is packaged in a 44-TSOP2.  
· Package : K3N7V(U)1000B-TC : 44-TSOP2-400  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A21  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
BUFFERS  
AND  
A21  
A18  
A20  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
1
2
.
.
.
.
.
.
.
.
A19  
A8  
(4,194,304x16/  
8,388,608x8)  
A17  
A7  
3
DECODER  
4
A9  
A6  
A5  
A4  
A3  
A10  
A11  
A12  
5
6
Y
7
SENSE AMP.  
BUFFERS  
BUFFERS  
AND  
8
A13  
A14  
A15  
A2  
A1  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
DECODER  
A0  
A16  
A0  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
TSOP2  
A-1  
BHE  
VSS  
.
.
.
Q15/A-1  
Q7  
CE  
Q8  
29 Q14  
28 Q6  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q1  
OE  
Q9  
Q13  
Q5  
27  
26  
25  
24  
23  
BHE  
Q2 19  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Q3  
21  
Q11  
22  
VCC  
Pin Name  
A0 - A21  
Pin Function  
Address Inputs  
Data Outputs  
K3N7V(U)1000B-TC  
Q0 - Q14  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
Ground  
1234

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与K3N7U1000B-TC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N7U1000B-TC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N7U1000B-YC SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7U1000B-YC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7U1000B-YC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7U1000C-GC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7U1000C-GC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N7U1000C-YC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7U1000C-YC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N7U4000B-DC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N7V1000A-GC SAMSUNG

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 		MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

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