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K3N7C1000M-GC15

更新时间： 2024-09-26 21:15:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
MASK ROM, 4MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

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K3N7C1000M-GC15 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	ALSO CONFIGURABLE AS 4M X 16
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	28.5 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	12.6 mm	Base Number Matches：	1

K3N7C1000M-GC15 数据手册

K3N7C1000M-GC

CMOS MASK ROM

64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

8,388,608 x 8(byte mode)

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time : 120ns(Max.)

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 70mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

The K3N7C1000M-GC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as

4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

· Package

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

-. K3N7C1000M-GC : 44-SOP-600

The K3N7C1000M-GC is packaged in a 44-SOP.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A21

MEMORY CELL

MATRIX

(4,194,304x16/

8,388,608x8)

BUFFERS

AND

DECODER

A21

A18

A20

A19

A17

40 A10

A11

A12

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

37 A13

A14

SOP

A15

A16

A-1

CE 12

BHE

VSS

32 VSS

Q15/A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

Q14

BHE

Q13

Q10 20

Q12

Pin Name

A0 - A21

Pin Function

Address Inputs

Q11

VCC

Q0 - Q14

Data Outputs

K3N7C1000M-GC

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power (+5V)

Ground

VCC

VSS

12 3 4

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