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K3N6V1000D-YC

更新时间： 2024-01-27 11:04:21

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	83K
描述
MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48

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K3N6V1000D-YC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1,	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	16.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K3N6V1000D-YC 数据手册

K3N6V(U)1000D-YC(E)/K3N6S1000D-YC(E)

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

4,194,304x8(byte mode)

2,097,152x16(word mode)

· Fast access time

The K3N6V(U)1000D-YC(E) and K3N6S1000D-YC(E) are fully

static mask programmable ROM fabricated using silicon gate

CMOS process technology, and is organized either as

4,194,304 x8 bit(byte mode) or as 2,097,152x16 bit(word

mode) depending on BHE voltage level.(See mode selection

table)

Random Access Time

3.3V/3.0V Operation : 100ns(Max.)

2.5V Operation : 150ns(Max.)

· Supply voltage

K3N6V(U)1000D-YC(E) : single +3.0V/ single +3.3V

K3N6S1000D-YC(E) : single +2.5V

· Current consumption

This device operates with low power supply, and all inputs and

outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating : 40mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N6V(U)1000D-YC(E) and K3N6S1000D-YC(E) are

packaged in a 48-TSOP1.

· Package

-. K3N6V(U)1000D-YC(E)/K3N6S1000D-YC(E)

: 48-TSOP1-1218

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

A20

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

Q0 - Q14

Data Outputs

DECODER

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DATA OUT

BUFFERS

DECODER

VCC

VSS

A-1

Ground

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

BHE

12 3 4 5

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与K3N6V1000D-YC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K3N6V1000D-YC10	SAMSUNG	MASK ROM, 4MX8, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48	获取价格
K3N6V1000E-GC100	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格
K3N6V1000E-GC12	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格
K3N6V1000E-GC120	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44	获取价格
K3N6V1000E-TC10	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
K3N6V1000E-TC100	SAMSUNG	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格

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