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JMTM3406D

更新时间： 2024-11-19 14:53:27

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捷捷微 - JJM		/
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6页	331K
描述
低压 N-ch (≤ 30V )

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JMTM3406D 数据手册

JMTM3406D

Description

JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 30V, 3.8A

 Load Switch

 PWM Application

R_DS(ON)<38mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON)<65mΩ @ V_GS=4.5V

 Power management

 Advanced Trench Technology

 Provide Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

SOT-23-6L(Dual)

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

(PCS)

3406D

JMTM3406D

TAPING

SOT-23-6L

7inch

3000

120000

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_A= 25℃

3.8

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100℃

2.5

I_DM

P_D

Pulsed Drain Current ^note1

Power Dissipation

15.2

T_A= 25℃

℃/W

℃

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.2

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