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JMTM8205B

更新时间： 2024-11-22 14:54:15

品牌	Logo	应用领域
捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	975K
描述
低压 N-ch (≤ 30V )

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JMTM8205B 数据手册

JMTM8205B

Description

JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET

Features

Applicatio

 Load Switch

 20V, 6A

 PWM Application

 Power Management

R_DS(ON)< 22.6mΩ @ V_GS= 4.5V

R_DS(ON)< 28.6mΩ @ V_GS= 2.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead Free

SOT-23-6L Top View

Marking and Pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Per Carton

(pcs)

Device Marking

Device

Package

Outline

Reel Size Reel(pcs)

7" 3000

8205B

JMTM8205B

SOT-23-6L

TAPING

120000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

Units

V_DS

V_GS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

±12

T_A= 25°C

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100°C

Pulsed Drain Current ⁽¹⁾

Power Dissipation

I_DM

P_D

1.8

T_A= 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient⁽²⁾

R_θJA

°C/W

°C

T_J, T_STG

Junction & Storage Temperature Range

-55 to 150

JieJie Microelectronics Co., Ltd

Version：1.0

12 3 4 5 6

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