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JMTP170N06D

更新时间： 2024-11-19 14:55:35

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捷捷微 - JJM		/
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6页	347K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTP170N06D 数据手册

JMTP170N06D

Description

JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 60V, 9.2A

 Load Switch

R_DS(ON)< 20.4mΩ @ V_GS= 10V

 PWM Application

R_DS(ON)< 24.4mΩ @ V_GS= 4.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead Free

 Power Management

100% UIS TESTED!

SOP-8(Dual)

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(pcs)

Per Carton

(pcs)

Device Marking

Device

Outline

Package

Reel Size

170N06D

JMTP170N06D

TAPING

SOP-8

13”

4000

48000

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_A= 25℃

9.2

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_A= 100℃

I_DM

EAS

P_D

36.8

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

Power Dissipation

T_A= 25℃

1.19

105

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

℃/W

℃

T_J, T_STG

-55 to +150

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

Version :1.3

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