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JMTM850P04A

更新时间： 2024-11-19 14:52:51

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捷捷微 - JJM		/
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7页	477K
描述
中压 P-ch (-100V ~ -40V）

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JMTM850P04A 数据手册

JMTM850P04A

Description

JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 V_DS= -40V, I_D= -5A

 PWM Applications

 Load Switch

R_DS(ON)< 85mΩ @ V_GS= -10V

R_DS(ON)< 115mΩ @ V_GS= -4.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

 Power Management

SOT-23-6L top view

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

(PCS)

8504

JMTM850P04A

TAPING

SOT-23-6L

7inch

3000

120000

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

-40

±20

Gate-Source Voltage

T_A= 25℃

-5

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100℃

-3.3

I_DM

P_D

Pulsed Drain Current ^note1

Power Dissipation

-20

T_A= 25℃

3.4

℃/W

℃

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

- 1 -

12 3 4 5 6 7

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