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JMTG100N06D

更新时间： 2023-12-06 20:10:13

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捷捷微 - JJM		/
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6页	328K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTG100N06D 数据手册

JMTG100N06D

Figure 8: Normalized on Resistance vs.

Figure 7: Normalized Breakdown Voltage vs.

Junction Temperature

VBR(DSS)

RDS(on)

2.5

1.3

1.2

2.0

1.5

1.1

1.0

0.5

0.9

Tj (℃)

-100

-50

100

150

200

-100

-50

100

150

200

Figure 9: Maximum Safe Operating Area

Figure 10: Maximum Continuous Drain Current

vs. Case Temperature

ID(A)

10³

Limited by RDS(on)

10μs

10²

100μs

1ms

10¹

10⁰

10ms

100ms

TC=25℃

Single pulse

Tc (℃)

10^-1

VDS (V)

0.1

100

125

150

Figure.11: Maximum Effective

Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

ZthJ-C(℃/W)

10¹

10⁰

10^-1

D=0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

Single pulse

10^-2

10^-3

Notes:

1.Duty factor D=t1/t2

2.Peak TJ=PDM*ZthJC+TC

TP(s)

10^-2

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-1

10⁰

10¹

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

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