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JMTG170C04D

更新时间: 2024-11-24 14:55:51
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捷捷微 - JJM /
页数 文件大小 规格书
10页 564K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

JMTG170C04D 数据手册

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JMTG170C04D  
Description  
JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Application  
N-Channel: 40V, 16A  
Battery Protection  
Load Switch  
RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V  
RDS(ON) < 29mΩ @ VGS = 4.5V  
P-Channel: -40V, -16A  
Power Management  
RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = -10V  
RDS(ON) < 65mΩ @ VGS = -4.5V  
Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM)  
Very Low On-resistance RDS(ON)  
Fast Switching Speed  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
PDFN5x6-8L-D  
Marking and pin Assignment  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Reel  
(pcs)  
Per Carton  
(pcs)  
Device Marking  
Device  
Outline  
Package  
Reel Size  
G170C04D  
JMTG170C04D  
TAPING  
PDFN5x6-8L-D  
13”  
2500  
25000  
Absolute Maximum Ratings (TC=25unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Max. N-Channel  
Max. P-Channel  
Units  
VDSS  
VGSS  
40  
±20  
16  
-40  
±20  
-16  
-10  
-64  
42  
V
V
Gate-Source Voltage  
TC = 25  
A
ID  
Continuous Drain Current  
TC = 100℃  
10  
A
IDM  
EAS  
Pulsed Drain Current note1  
Single Pulsed Avalanche Energy note2  
Power Dissipation  
64  
A
30  
mJ  
W
PD  
TC = 25℃  
9.6  
13  
22  
RθJC  
TJ, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Case  
5.7  
/W  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
Version :1.1  
- 1 -  

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