JDV2S02E

更新时间： 2024-09-26 22:16:47

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东芝 - TOSHIBA		二极管变容二极管光电二极管
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4页	91K
描述
VCO for UHF band

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JDV2S02E 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SOD
包装说明：	1-1G1A, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	12.2%	最小二极管电容比：	1.8
标称二极管电容：	2.05 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

JDV2S02E 数据手册

JDV2S02E

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

JDV2S02E

VCO for UHF band

Unit: mm

Small Package

1V 4V

Low Series Resistance: r = 0.60 Ω (typ.)

High Capacitance Ratio: C /C = 2.0 (typ.)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

125

Junction temperature

Storage temperature range

°C

-55~125

stg

JEDEC

―

JEITA

TOSHIBA

Weight: 0.0014 g

1-1G1A

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Reverse voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= 1 mA

Reverse current

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

1.8

0.83

1.8

2.05

1.03

2.3

1.23

Capacitance

Capacitance ratio

Series resistance

C /C

1V 4V

= 1 V, f = 470 MHz

0.6

0.8

Note: Signal level when capacitance is measured. V = 100 mV

sig

rms

Marking

F B

2002-01-16

12 3 4

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