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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/374 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JANTXV2N3998 | MICROSEMI | NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N3998 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| JANTXV2N3999 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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| JANTXV2N3999 | MICROSEMI | NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANTXV2N4029 | RAYTHEON | Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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| JANTXV2N4032 | MOTOROLA | 1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39, TO-205AD, 3 PIN |
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