JANTXV2N3999

更新时间： 2024-02-09 09:27:23

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管功率双极晶体管电源开关
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2页	59K
描述
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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JANTXV2N3999 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-111
JESD-30 代码：	O-MUPM-D3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

JANTXV2N3999 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 374

Devices

Qualified Level

JAN

2N3996

2N3997

2N3998

2N3999

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Value

Unit

Vdc

Adc

100

8.0

0.5

5.0

10⁽¹⁾

2.0

Collector Current

Adc

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽²⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽³⁾

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-111*

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

3.33

qJC

1) This value applies for t_p£ 1.0 ms, duty cycle £ 50%

2) Derate linearly 11.4 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

3) Derate linearly 300 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 50 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)

CEO

100

V_(BR)

CBO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 0

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

I_CEO

I_CES

mAdc

hAdc

200

hAdc

mAdc

I_EBO

V_EB= 8.0 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTXV2N3999 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE75	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor High Power Amplifier, Switch (Stud Mount)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JANTXV2N4033	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,
JANTXV2N4033UA	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P
JANTXV2N4033UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P
JANTXV2N4091	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431
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JANTXV2N4150	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5

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