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JANTXV2N4033UA

更新时间： 2024-01-22 00:33:58

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	284K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

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JANTXV2N4033UA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.5	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/512	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	210 ns	最大开启时间（吨）：	40 ns
Base Number Matches：	1

JANTXV2N4033UA 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/512

DEVICES

LEVELS

2N4029

2N4033

2N4033UA

2N4033UB

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

5.0

TO-18 (TO-206AA)

2N4029

1.0

2N4029 ¹

0.5

0.8

0.5

Total Power Dissipation @ T_A=

+25°C

2N4033 ²

P_T

2N4033UA, UB³

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_j, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

2N4029

Thermal Resistance, Junction-to-Case

2N4033

°C/W

Note:

1. Derate linearly 2.86mW/°C for T_A> +25°C

2. Derate linearly 4.56mW/°C for T_A> +25°C

3. For UB package and use R_θJCor see thermal curves in /512

TO-39 (TO-205AD)

2N4033

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERTICS

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 80Vdc

UA Package

μAdc

ηAdc

μAdc

I_CBO

_CB= 60Vdc

V_CB= 60Vdc, T_A= +150°C

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0Vdc

μAdc

ηAdc

I_EBO

_EB= 3.0Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

_BE= 2.0Vdc, V_CE= 60Vdc

I_CEX

ηAdc

UB Package

T4-LDS-0157 Rev. 2 (101305)

Page 1 of 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N4033UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P
JANTXV2N4091	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431
JANTXV2N4092	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431
JANTXV2N4093	MICROSEMI	获取价格	N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431
JANTXV2N4093UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU
JANTXV2N4150	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4150S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-39
JANTXV2N4234	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4235	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5
JANTXV2N4236	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-5

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