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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.09 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-111 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N4029 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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| JANTXV2N4032 | MOTOROLA |
获取价格 |
1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39, TO-205AD, 3 PIN |
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| JANTXV2N4033 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JANTXV2N4033UA | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P |
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| JANTXV2N4033UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC P |
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| JANTXV2N4091 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431 |
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| JANTXV2N4092 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431 |
|
| JANTXV2N4093 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL J-FET Qualified per MIL-PRF-19500/431 |
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| JANTXV2N4093UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SU |
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| JANTXV2N4150 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
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