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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.1.A |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.5 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/255 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANSH2N7261 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
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| JANSH2N72610U | INFINEON |
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8A, 100V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-18 |
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| JANSH2N7261U | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18) |
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| JANSH2N7262 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?? TRANSISTOR |
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| JANSH2N7262U | ETC |
获取价格 |
200V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
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| JANSH2N7268 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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| JANSH2N7268D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANSH2N7268U | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
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| JANSH2N7269 | ETC |
获取价格 |
200V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
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| JANSH2N7269D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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