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JANSH2N7431U

更新时间： 2024-01-11 11:25:54
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其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页 125K
描述
60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package

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JANSH2N7431U 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Transferred
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.12其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/664
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANSH2N7431U 数据手册

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PD - 91416B  
IRHNA7064  
JANSR2N7431U  
60V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT(SMD-2)  
REF: MIL-PRF-19500/664  
RADHard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on) ID  
QPL Part Number  
IRHNA7064  
IRHNA3064  
100K Rads (Si) 0.015Ω 75*A JANSR2N7431U  
300K Rads (Si) 0.015Ω 75*A JANSF2N7431U  
IRHNA4064  
600K Rads (Si) 0.015Ω 75*A JANSG2N7431U  
IRHNA8064 1000K Rads (Si) 0.015Ω 75*A JANSH2N7431U  
SMD-2  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
Features:  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
75*  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
56  
300  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
300  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
2.4  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
75*  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
30  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
2.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( for 5sec)  
3.3 (Typical )  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
*Current is limited by pin diameter  
www.irf.com  
1
12/12/01  
12345678

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与JANSH2N7431U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSH2N7432 ETC

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 		100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package
JANSH2N7432U ETC

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 		100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package
JANSH2N7433 ETC

获取价格

 		200V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package
JANSH2N7433U ETC

获取价格

 		200V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package
JANSH2N7467U2 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET
JANSH2N7470T1 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA)
JANSH2N7470T1PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
JANSH2N7480U3 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
JANSH2N7481U3 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
JANSH2N7482T3 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)

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