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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANSH2N7390 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| JANSH2N7394 | ETC |
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60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
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| JANSH2N7394D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANSH2N7394U | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
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| JANSH2N7431 | ETC |
获取价格 |
60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
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| JANSH2N7431D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANSH2N7431U | ETC |
获取价格 |
60V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
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| JANSH2N7432 | ETC |
获取价格 |
100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
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| JANSH2N7432U | ETC |
获取价格 |
100V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package |
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| JANSH2N7433 | ETC |
获取价格 |
200V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
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