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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.09 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CQCC-N15 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 15 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/601 |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANSR2N7261U | INFINEON |
功能相似  |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18) |
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| IRHE7130 | INFINEON |
功能相似 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANSH2N7262 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?? TRANSISTOR |
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| JANSH2N7262U | ETC |
获取价格 |
200V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a 18-pin LCC package |
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| JANSH2N7268 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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| JANSH2N7268D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANSH2N7268U | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
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| JANSH2N7269 | ETC |
获取价格 |
200V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
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| JANSH2N7269D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANSH2N7269U | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANSH2N7269U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANSH2N7270 | ETC |
获取价格 |
500V 1000kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA package |
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