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JANSF2N5151L

更新时间： 2024-10-02 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

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JANSF2N5151L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-5	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.22	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/545
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	最大关闭时间（toff）：	1500 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	Base Number Matches：	1

JANSF2N5151L 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/545

DEVICES

LEVELS

JANSM – 3K Rads (Si)

JANSD – 10K Rads (Si)

JANSP – 30K Rads (Si)

JANSL – 50K Rads (Si)

JANSR – 100K Rads (Si)

JANSF – 300K Rads (Si)

2N5151

2N5151L

2N5151U3

2N5153

2N5153L

2N5153U3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

100

5.5

2.0

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

2N5151, 2N5153, L

2N5151U3, 2N5153U3

@ T_A= +25°C ⁽¹⁾

@ T_C= +25°C ⁽²⁾

@ T_A= +25°C ⁽³⁾

@ T_C= +25°C ⁽⁴⁾

1.0

1.16

100

TO-5

2N5151L, 2N5153L

(See Figure 1)

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

-65 to +200

°C

1.75 (U3)

Thermal Resistance, Junction-to Case

°C/W

Note:

1) Derate linearly 5.7mW/°C for T_A> +25°

2) Derate linearly 66.7mW/°C for T_A> +25°

3) Derate linearly 6.63mW/°C for T_A> +25°

4) Derate linearly 571mW/°C for T_A> +25°

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

TO-39 (TO-205AD)

2N5151, 2N5153

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100mAdc, I_B= 0

V_(BR)CEO

Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

_EB= 4.0Vdc, I_C= 0

I_EBO

1.0

µAdc

mAdc

V_EB= 5.5Vdc, I_C= 0

Collector-Emitter Cutoff Current

_CE= 60Vdc, V_BE= 0

I_CES

1.0

µAdc

mAdc

V_CE= 100Vdc, V_BE= 0

U-3

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 40Vdc, I_B= 0

I_CEO

µAdc

2N5151U3, 2N5153U3

T4-LDS-0131 Rev. 1 (091476)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANSF2N5152	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANSF2N5152L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANSF2N5153	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD,
JANSF2N5154	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANSF2N5154L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANSF2N5154U3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANSF2N7261	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
JANSF2N7261	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANSF2N72610U	INFINEON	获取价格	8A, 100V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-18
JANSF2N7261U	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18)

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