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JANSF2N7261

更新时间： 2024-10-02 20:23:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	284K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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JANSF2N7261 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BCY
包装说明：	MODIFIED TO-39, 3 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/601	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANSF2N7261 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET

Reference MIL-PRF-19500/601

DEVICES

LEVELS

2N7261

2N7261U

JANSR (100K RAD(Si))

JANSF (300K RAD(Si))

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

100

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

8.0

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

5.0

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

0.180 ⁽²⁾

-55 to +150

°C

TO-205AF

(modified TO-39)

JANSR2N7261, JANSF2N7261

See Figure 1

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 12Vdc, I_D= 5.0A

PRE-IRRADIATION ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise

noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

100

Vdc

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA, T_j= +125°C

V_DS≥ V_GS, I_D= 1.0mA, T_j= -55°C

Gate Current

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 80V

18 PIN LEADLESS CHIP CARRIER

JANSR2N7261U, JANSF2N7261U

See Figure 2

I_DSS1

I_DSS2

I_DSS3

1.0

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 100V, T_j= +125°C

V_GS= 0V, V_DS= 80V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= 12V, I_D= 5.0A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.180

0.185

_GS= 12V, I_D= 8.0A pulsed

T_j= +125°C

_GS= 12V, I_D= 5.0A pulsed

r_DS(on)3

0.35

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 8.0A pulsed

V_SD

1.5

Vdc

T4-LDS-0119 Rev. 2 (101017)

Page 1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANSF2N72610U	INFINEON	获取价格	8A, 100V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-18
JANSF2N7261U	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18)
JANSF2N7261U	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANSF2N7262	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 5.5A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-205AF package - TO-205AF, 300 k
JANSF2N7262U	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 5.5A, single, N-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC,
JANSF2N7268	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
JANSF2N7268U	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANSF2N7269	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANSF2N7269	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 26A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 300 kr
JANSF2N7269D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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